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第274章 分子级别超纯水（第3页）

梁远巴拉巴拉的把自己看磁悬浮胶囊列车的光斑投影，在湖面宽窄变化进而联想到液体折射和光刻机镜头的事情联系了起来。

牛顿之前，无数人被东西砸了脑袋也没发现万有引力，梁土豪之前，无数的酒鬼醉眼迷离也没想到光刻机的线宽，梁远自己觉得这锅鸡汤炖得还是蛮有格调的。

“你们说，如果把晶圆丢在水里光刻是不是有助于增大NA值～。”

梁远假模假样的问了一句。

除了特别极端条件，物理定律肯定是不会变的，晶圆丢水里当然会变相增大镜头的NA值。

“卧艹！”

技术大佬三人组都被惊吓了，刘飞扬和聂晓天甚至连不符合社会期待都语气助词都没憋住。

王欣彻底的一副世界变化这么大，好像忽然见了鬼的模样。

小会议室里一片寂静，也不知过了多久，王欣喃喃的说道：“大少，我是彻底相信你是被赚钱耽搁了的科学天才了。”

刘飞扬小小的“呃”

了一声，把差点脱口而出的大少是真有吉祥物属性的话硬生生的咽了回去。

昨晚刘飞扬和聂晓天应酬完方伟林一行人，两人结伴回家时还笑言港基集电有吉祥物属性的大少，193纳米光源壁垒肯定得我们追上来才能突破，哪成想只是回家睡了一觉，第二天梁远就直接爆种了。

镜头上加水这玩意一旦捅破了后边差不多是一马平川，对于技术大佬三人组随便拿张纸就能算出来这东西的前景。

水的折射率是1.44，港基集电目前营运的晶圆生产线线宽是5微米，如果像梁远所言的直接在水里光刻都不用变动光刻机的镜头组数和更换新光源，直接就能把线宽变成3.5微米。

“大少这个想法简直天才～”

“十年之前，干式蚀刻和湿式蚀刻就有过路线之争，结果干式蚀刻把湿式蚀刻给淘汰了，没想到换了个思路湿式居然又复活了。”

“老聂，你这话可不准，形象点说干式蚀刻和湿式蚀刻是冲洗，和大少这个完全是两码事。”

光刻机、蚀刻机都是晶圆生产线的核心设备，由于晶圆生产的技术原理起源于相机，因此可以近似的把光刻机看成拍摄，蚀刻机看成冲洗，加工完成的晶圆就是相片。

七十年代中期，主流蚀刻机对经过光刻机曝光之后晶圆都是采用液体化学溶剂冲洗光刻胶，因此也叫湿式蚀刻，七十年代末八十年代初，东洋尼康采用气体冲洗的干式蚀刻机研制成熟，只用了几年的时间就淘汰了操作复杂腐蚀污染严重的湿式蚀刻。

可惜，整整二十多年，整个东洋也没人想到把湿式工艺挪移到上一个生产环节。

一般来说，浸入式光刻机有三种技术路线：

第一种是喷淋法，顾名思义就是把水喷到晶圆上然后再迅速带走，常见的喷淋法工艺是在镜头的一侧设置一个超精密喷嘴，随着镜头加工运动把水喷到镜头下方，然后从镜头的另一侧把水吸走。

这个方法对超精密加工能力和计算机控制能力要求极高，在镜头下方的工作区稳定的建立起那层超薄水膜不比生产光刻机简单到哪去，如果精密加工和精密控制的能力不行，会导致晶圆边缘的曝光很差，严重影响晶圆生产线的良品率。

不过喷淋法最大的优点就是能完整的利用现有设备，可以说这套喷水和吸水的设备完全独立于晶圆生产线，只和光刻镜头联动，进行晶圆生产线技术升级时难度和改建成本都极低。

第二种叫浴缸法，这个方法和梁远刚刚说的灵感类似，就是把整片晶圆都丢在水里，装晶圆的容器→浴缸随着晶圆工作台移动。

这种方法的好处是工程上的技术难度较低，不会对晶圆生产线的良品率造成负面影响，不过缺点是要对现有的晶圆生产线做较大的改动，必须研制全新的能在水中工作的光刻胶，必须对晶圆工作台加以改进，而且由于晶圆工作台上增加了水的重量，晶圆生产线的生产节拍也会随之改变，相比喷淋法晶圆生产线的生产效率会有一定幅度的下降。

第三种叫泳池法，就是把整个光刻程序都丢进水里来完成，这种方法虽然能最大化的减少线宽，不过在水中操作相当于重新研发一套晶圆生产体系，无论工程难度还是经济成本都双双过高。

新世纪之后，浸入式光刻机的国际主流路线采用了喷淋法，不过以港基集电目前的实力来说，第二种浴缸法才是最合适的，新世纪之后尼康和艾斯摩尔之所以选了喷淋法路线，一个是两家精密加工和精密控制的水准高没门槛，另一个是国际上现存的光刻设备大部分都是这俩家卖的，当然是升级成本越低升级方式越简单越好。

九十年代初，制程工艺和芯片设计之间的分界远没有未来那般清晰，技术大佬三人组目前虽然都是以芯片设计为主业，但三人都对晶圆制程了如指掌，随便丢到那条产线上当个线长绝对是富富有余。

刘飞扬在纸上龙飞凤舞的写了大半张的算式，然后抬头用无法置信的语气对梁远说道：“大少，如果从西门子引进的设备投产，把大少这个想法放进生产线，我们直接就撵上国际先进水准了～～”

港基集电主导的共和国的火炬计划属于基础科研类，压根就没有保密一说，港基集电的财务审计是通过第三方的会计师事务所交叉审计，梁远打算采购大批的国产5微米晶圆生产线，在财务报表上根本无法隐藏。